[发明专利]一种电源过压保护结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110068177.1 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102157546A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 吴炜 | 申请（专利权）人： | 中颖电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/265;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200335 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电源过压保护结构，该结构包括至少两个并联的电源过压保护单元，所述每个电源过压保护单元通过在P型阱区与N型重掺杂区的交界处形成一PESD注入区，从而使得所述P型阱区与所述N型重掺杂区所形成的二极管的崩溃电压略高于电源电压，但又比现有的缓冲器件的崩溃电压低，因此在电源过压时，能有效地保护集成电路芯片不被损坏；同时本发明还公开了一种电源过压保护结构的制备方法，该方法通过在P型阱区与N型重掺杂区的交界处形成一PESD注入区，从而使得所述P型阱区与所述N型重掺杂区所形成的二极管的崩溃电压略高于电源电压，但又比现有的缓冲器件的崩溃电压低，因此在电源过压时，能有效地保护集成电路芯片不被损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源 保护 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电源过压保护结构，其特征在于，包括至少两个并联的电源过压保护单元，所述每个电源过压保护单元包括：半导体衬底；P型阱区，形成于所述半导体衬底内；N型重掺杂区，形成于所述P型阱区内；以及PESD注入区，形成于所述P型阱区与所述N型重掺杂区的交界处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中颖电子股份有限公司，未经中颖电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110068177.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于加热炉或保温炉的门帘
- 下一篇：无烟燃煤多用炉
- 同类专利
- 专利分类
