[发明专利]阻变存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110068633.2 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102694118A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;刘琦;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：下电极；下电极之上的第一阻变功能层，以及第一阻变功能层之上的第二阻变功能层，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相反的多数载流子类型；第二阻变功能层之上的上电极。通过具有相反多数载流子类型的第一阻变功能层和第二阻变功能层，在存储器的阻变功能层内形成pn结，由于不用外接整流的二极管或三极管，便可实现阻变和抑制串扰，不会增加存储单元的面积，从而有效提高存储密度，进而提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，所述存储器包括：下电极；下电极之上的第一阻变功能层，以及第一阻变功能层之上的第二阻变功能层，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相反的多数载流子类型；第二阻变功能层之上的上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110068633.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
