[发明专利]一种MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201110068717.6 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102693915A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管的制造方法，一方面，通过锗掺杂硅外延层来增大电荷迁移率，抑制热载流子效应；另一方面，通过顶部略低的内侧墙，来抑制轻掺杂源/漏区(LDD)离子注入后的径向扩散，控制轻掺杂源/漏(LDD)延伸区的深度，以使超浅结更浅，获得了更长的有效沟道，有效抑制HCI效应，显著改善SCE及RSCE效应，降低器件尺寸减小所带来的击穿效应以及由其引起的结漏电，使得在超浅结工艺中制造更浅的源/漏区结深成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成图案化的掩膜层；以所述图案化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底以形成沟槽；移除所述图案化的掩膜层，并在所述沟槽侧壁形成内侧墙，所述内侧墙的高度小于所述沟槽的深度；在所述沟槽中形成锗掺杂硅外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
