[发明专利]化学机械抛光的方法有效
| 申请号： | 201110068908.2 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102689265A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 赵峰;邓武锋;赵敬民;陈枫;刘俊良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种化学机械抛光的方法，包括：提供抛光层；采用碱性的研磨浆料研磨所述抛光层；采用酸性的缓冲剂去除研磨后形成在所述抛光层表面的残留物层；在去除所述残留物层之后，形成覆盖所述抛光层的钝化层。本发明实施例的化学机械抛光的方法，抛光层表面的平整度高，半导体器件的成品率高，长期稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光的方法，其特征在于，包括：提供抛光层；采用碱性的研磨浆料研磨所述抛光层；采用酸性的缓冲剂去除研磨后形成在抛光层表面的残留物层；在去除所述残留物层之后，形成覆盖所述抛光层的钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110068908.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种资源文件语言的转换方法及系统
- 下一篇：一种治疗腹泻的中药及其制备方法
