[发明专利]一种制造硅片绒面的方法

摘要

本发明提供了一种制造硅片绒面的方法，其具体步骤如下：（1）利用水膜方式或者印刷方式在硅片上形成含有聚苯乙烯微粒的掩膜层：（2）利用等离子刻蚀方法对已有掩膜层的硅片进行刻蚀，形成特定的减反结构；（3）去除硅片表面剩余的掩膜层物质。本方法为非化学方法，它杜绝了酸碱类化学物质的大量使用，保护了生态环境。本方法不受单晶、多晶限制，单晶硅和多晶硅都可利用本方法制造绒面，从而降低反射率，使硅片尽可能多地吸收太阳光，从而增加太阳能电池的转换效率。

主权项

一种制造硅片绒面的方法，其具体步骤如下：（1）利用水膜方式在硅片上形成含有聚苯乙烯微粒的掩膜层： a）先将Si衬底片在NH4OH、H2O2、H2O 混合溶液（体积比1：2：6）中煮沸5‑10分钟，再用去离子水彻底冲洗；b）将洗净的Si 衬底片烘干后在浓度为10%的十二烷基硫酸钠溶液中浸泡1‑20小时，得到亲水的衬底表面；将一定量的聚苯乙烯小球配置成胶体溶液，用等体积的乙醇进行稀释；然后将稀释后的溶液滴在浸泡过的Si衬底片表面，溶剂连同聚苯乙烯小球在Si衬底片表面铺展开来；c）先将Si衬底片缓慢地浸入到去离子水里，由于水表面张力作用，在水表面形成一层PS胶体小球的单层膜；再向去离子水中滴入一定量的浓度为2%的十二烷基硫酸钠溶液；d）在室温条件下静置约5‑15分钟后，用浸泡过的Si衬底片将PS小球膜捞起来，在空气中自然挥发干燥，再滴入少量的浓度为10%的十二烷基硫酸钠溶液到装有小球的容器中，溶剂挥发后在Si衬底片表面形成有序的二维胶体晶体阵列；（2）利用等离子刻蚀方法对已有掩膜层的硅片进行刻蚀，形成特定的减反结构；（3）去除硅片表面剩余的掩膜层物质。