[发明专利]含氧的n-型β-硅化铁(FeSi2)及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110069236.7 申请日: 2011-03-18
公开(公告)号: CN102683476A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 张嘉峰 申请(专利权)人: 张嘉峰
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C16/44;C23C16/42
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王雪静;逯长明
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 含氧的n-型beta-FeSi2纳米线是经由化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition)来合成。在650℃~950℃的温度范围间,经由载流气体(carrier gas)将前驱物FeCl3运送到硅基板处反应生成n-型β相的FeSi2,β-FeSi2的结构可以经由XRD和TEM的分析交互比对来获得证实,且其结构的形貌也可经由SEM直接观测。综合以上分析,在650℃~950℃的温度之间找到一个稳定的方法来合成n-型β-FeSi2纳米线。
搜索关键词: 硅化铁 fesi sub 及其 制造 方法
【主权项】:
一种n‑型β‑硅化铁(FeSi2)的制造方法,在硅晶圆上以化学气相沉积含氧的n‑型β‑FeSi2,至少包含下列步骤:将一个多区石英炉管,第一区放置反应所需的前驱物,第二、三区则放入清洗过后的硅晶圆,将石英炉管内的压力抽至1至10‑3torr后通入惰性气体1至30torr,再将压力抽到1至10‑3torr,此动作反复数次;升温到水的沸点以上,持温一个小时将结晶水去除;通入所需的载流气体,该载流气体的流量大于15sccm,将前驱物慢慢带到待反应的硅基板上,氧则来自硅晶圆上的氧化层(native oxide),使得金属氯化物在与硅基板反应之前先与氧气反应,而产生Fe‑O,再与基板反应形成FeSi2;将第二区和第三区的温度升到反应温度并维持一段时间,该反应温度为650℃至950℃;停止加热,在真空下回温至室温,但载流气体仍旧持续将前驱物运送到硅基板上,同时也慢慢地将热量带走,慢慢退火而得含氧的n‑型β‑FeSi2。
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