[发明专利]晶体管基底及其制造方法有效
| 申请号： | 201110069272.3 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102194891A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 朴荣焕 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/544;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王艳娇 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管基底和制造该晶体管基底的方法。该晶体管基底包括：半导体层，布置在基层上；第一层，布置在半导体层上并具有第一透光率；源电极和漏电极，源电极布置在半导体层的第一侧上并延伸到第一层的第一部分上，漏电极布置在半导体层的相对的第二侧上并延伸到第一层的第二部分上并且与源电极分开；第二层，布置在第一层与源电极和漏电极之间且具有低于第一透光率的第二透光率；栅极绝缘层，布置在第一层上；栅电极，布置在栅极绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 基底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管基底，所述晶体管基底包括：半导体层，布置在基层上；第一层，布置在所述半导体层上并具有第一透光率；源电极和漏电极，所述源电极布置在所述半导体层的第一侧上并延伸到所述第一层的第一部分上，所述漏电极布置在所述半导体层的与第一侧相对的第二侧上并延伸到所述第一层的第二部分上并且与所述源电极分开；第二层，布置在所述第一层与所述源电极和漏电极之间且具有低于所述第一透光率的第二透光率；栅极绝缘层，布置在所述第一层上；栅电极，布置在所述栅极绝缘层上。
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