[发明专利]闪存单元及其浮栅的形成方法有效
| 申请号： | 201110069308.8 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102693905A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 曾贤成;李绍彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存单元及其浮栅的形成方法，所述闪存单元浮栅的形成方法包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成掺有第一型离子的浮栅层；在所述掺有第一型离子的浮栅层上形成图形化的第一光刻胶；干法刻蚀所述图形化的第一光刻胶，所述干法刻蚀后的第一光刻胶的图形的尺寸小于所述干法刻蚀前的第一光刻胶的图形的尺寸；以所述干法刻蚀后的第一光刻胶为掩膜对所述掺有第一型离子的浮栅层进行第二型离子注入形成具有双掺杂结构的浮栅层，所述第一型离子与所述第二型离子反型。所述闪存单元浮栅及闪存单元的形成方法，可以形成关键尺寸小且具有双掺杂浮栅结构的闪存单元，且所述闪存单元编程效率高，数据保持能力强，工艺成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存单元浮栅的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成掺有第一型离子的浮栅层；在所述掺有第一型离子的浮栅层上形成图形化的第一光刻胶；干法刻蚀所述图形化的第一光刻胶，所述干法刻蚀后的第一光刻胶的图形的尺寸小于所述干法刻蚀前的第一光刻胶的图形的尺寸；以所述干法刻蚀后的第一光刻胶为掩膜对所述掺有第一型离子的浮栅层进行第二型离子注入形成具有双掺杂结构的浮栅层，所述第一型离子与所述第二型离子反型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
