[发明专利]一种SGZO-Au-SGZO透明导电膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110069773.1 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102650044A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于发光材料领域，其公开了一种SGZO-Au-SGZO透明导电膜的制备方法，包括步骤，SGZO靶材的制备；将SGZO靶材、Au靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并抽真空；调整磁控溅射镀膜工艺参数，进行镀膜处理。本发明采用磁控溅射设备，于非加热状态下得到SGZO-Au-SGZO透明导电膜，其可见光平均透过率介于65～95％，最低方块电阻率为5Ω/□。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sgzo au 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SGZO‑Au‑SGZO透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，将质量百分比为0.1～3％的SiO2、质量百分比为2～15％的Ga2O3和余量为ZnO原料混合、研磨后于900～1350℃烧结成SGZO靶材；步骤S2，将步骤S1中得到的SGZO靶材、Au靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10‑3Pa～1.0×10‑5Pa之间；步骤S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：磁控溅射工作压强0.2～2.0Pa，氩气工作气体的流量15～35sccm，SGZO靶材的溅射功率为60～160W，以及Au靶材的溅射功率为30～100W；接着根据确定的沟工艺参数进行镀膜处理，且在所述衬底上不断交替溅射SGZO层和Au层，最后得到三文治结构的所述SGZO‑Au‑SGZO透明导电膜。
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