[发明专利]扇出高密度封装方法

摘要

本发明涉及扇出高密度封装方法，包括步骤：提供载板，在载板上形成剥离膜，在剥离膜上形成保护层，在保护层中形成再布线金属层，在保护层上形成与再布线金属层导通的布线封装层，在布线封装层上形成倒装封装层，各组封装层之间通过布线层和焊料凸点实现相互间的电连接，去除载板及剥离膜，裸露出第一保护层中的再布线金属，在裸露的再布线金属上形成金属焊球。与现有技术相比，本发明请求保护的扇出高密度封装方法，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品，降低了系统内电阻、电感以及芯片间的干扰因素。此外，可以形成更为复杂的多层互联结构，实现集成度更高的圆片系统级封装。

主权项

扇出高密度封装方法，其特征在于，包括步骤：提供载板；在载板上形成剥离膜；在剥离膜上形成第一保护层，并在第一保护层上形成设计的光刻图形开口；在第一保护层的表面及其光刻图形开口中形成再布线金属层；在第一保护层上形成带有部分暴露再布线金属层开口的第二保护层；在第二保护层上形成至少一组布线封装层，形成所述布线封装层的步骤包括依次形成正贴装层、封料层和布线层，布线封装层透过布线层与再布线金属层导通；在布线封装层上形成至少一组倒装封装层，形成倒装封装层的步骤包括依次形成倒贴装层、底部填充和封料层；其中各组封装层之间相互电连接；去除载板及剥离膜，裸露出第一保护层中的再布线金属；在裸露的再布线金属上形成金属焊球。