[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201110070280.X | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102157688A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄英龙;蔡一茂;黄如;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底、上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中下电极中部向上凸起成尖峰状，而上电极为平板状，尖峰结构的下电极降低了器件功耗。其制备方法是通过腐蚀在衬底表面形成尖峰结构，接着在其上生长下电极，形成尖峰状下电极，然后再淀积阻变材料和上电极。整个制作工艺简单，且可实现器件的高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，包括衬底、上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中下电极位于衬底上，上电极位于器件顶部，其特征在于，所述下电极中部向上凸起成尖峰状，而所述上电极为平板状。
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