[发明专利]一种改进的具有电流阻挡层的LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201110071173.9 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102694095A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 | 申请（专利权）人： | 广东银雨芯片半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改进的具有电流阻挡层的LED芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该LED芯片包括N型半导体层、发光层和P型半导体层的层叠结构以及透明导电层、形成于透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，在P型半导体层上P型电极对应的正下方形成有表面光滑的第一沟槽，所述沟槽上形成有电流阻挡层。本发明所提供的LED芯片，不但能够提升芯片的出光效率并延长使用寿命，而且制备方法简单方便，完全能够满足大规模的量产要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 具有 电流 阻挡 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的具有电流阻挡层的LED芯片，包括：N型半导体层、形成在N型半导体层上的发光层、形成在发光层上的P型半导体层、形成在P型半导体层上的透明导电层、形成在透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，其特征在于：在P型半导体层上P电极对应的正下方形成有表面光滑的第一沟槽，所述第一沟槽上形成有电流阻挡层。
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