[发明专利]晶圆级电磁防护结构及其制造方法无效
申请号: | 201110071335.9 | 申请日: | 2011-03-23 |
公开(公告)号: | CN102695405A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 吴明哲 | 申请(专利权)人: | 环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H01L23/552 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 薛琦;朱水平 |
地址: | 201203 上海市张江高*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆级电磁防护结构,其包括:一晶圆、一电磁防护单元。晶圆的顶面具有一外露线路单元,并且外露线路单元的表面上具有多个导体。电磁防护单元具有一围绕且设置于晶圆的周围表面上的第一电磁防护层以及一覆盖于晶圆底面的第二电磁防护层。本发明还公开了一种晶圆级电磁防护结构的制造方法。本发明的晶圆级电磁防护结构通过晶圆级的制程方法,使得电磁防护结构为微型的电磁防护结构,并且使得每一晶圆均具有防止电磁干扰的屏蔽效果。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 电磁 防护 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆级电磁防护结构,其特征在于,其包括:一晶圆,该晶圆顶面具有一外露线路单元,且该外露线路单元的表面上具有多个导体;以及一电磁防护单元,该电磁防护单元具有一第一电磁防护层及一第二电磁防护层,该第一电磁防护层围绕且设置于该晶圆的周围表面上,该第二电磁防护层覆盖于该晶圆的底面且与该第一电磁防护层连接。
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