[发明专利]用于表面增强拉曼散射研究的衬底无效
申请号: | 201110071515.7 | 申请日: | 2011-03-21 |
公开(公告)号: | CN102213677A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 罗伯特·霍利斯特;阿格尼斯卡·卡明斯卡;伊戈尔·津切莱夫斯基;塞尔韦斯特·波罗夫斯基;塔德乌什·苏斯基;扬·魏耶尔 | 申请(专利权)人: | 波兰科学院物理化学研究所;波兰科学院高压物理研究所 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;顾晋伟 |
地址: | 波兰*** | 国省代码: | 波兰;PL |
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摘要: | 本发明涉及用于表面增强拉曼散射研究的衬底,其包括含有晶须并用选自银、金、铂、铜和/或其合金的金属涂覆的半导体表面,其中所述半导体为含镓氮化物,基本上每个晶须均具有内部线性缺陷。 | ||
搜索关键词: | 用于 表面 增强 散射 研究 衬底 | ||
【主权项】:
一种用于表面增强拉曼散射研究的衬底,其包括含有晶须并用选自银、金、铂、铜和/或它们的合金的金属涂覆的半导体表面,其特征在于,所述半导体为含镓氮化物并且基本上每个晶须均具有内部线性缺陷。
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