[发明专利]化学机械抛光液无效
| 申请号： | 201110072199.5 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102690604A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王良咏;宋志棠;刘卫丽;刘波;钟旻;何敖东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于相变存储器的化学机械抛光液，其特征在于，包括：抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、抑制剂、表面活性剂、pH调节剂/缓冲剂以及水性介质。相较于现有技术，本发明提供的化学机械抛光液，可实现对相变材料/底层介质材料可控选择比(1：1至180：1)的去除，且能保证相变材料在抛光后相变性质不改变、表面光洁无划痕，满足相变存储器CMP工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的化学机械抛光液，其特征在于，包括：抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、抑制剂、表面活性剂、pH调节剂/缓冲剂以及水性介质。
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