[发明专利]垂直发光二极管晶粒及其制造方法无效
| 申请号： | 201110072452.7 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102569547A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 朱俊宜;朱振甫;郑兆祯 | 申请（专利权）人： | 旭明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直发光二极管(VLED，vertical light emitting diode)晶粒，包括：一第一金属，具有一第一表面以及一相对的第二表面；一第二金属，位于该第一金属的第二表面上；一p-型半导体层，位于该第一金属的第一表面上；一多重量子阱(MQW，multiplequantum well)层，位于该p-型半导体层上并用以发光；以及一n-型半导体层，位于该多重量子阱(MQW)层上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述的垂直发光二极管晶粒包括：一第一金属，具有一第一表面、一相对的第二表面以及一第一面积；一第二金属，位于所述第一金属的第二表面上，并具有一第二面积，其中所述第一金属的第一面积大于所述第二金属的第二面积而形成一阶状结构；一外延堆叠体，位于所述第一金属上，所述外延堆叠体包括：一第一型半导体层，位于所述第一金属的第一表面上；一多重量子阱层，位于所述第一型半导体层上并用以发光；及一第二型半导体层，位于所述多重量子阱层上。
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