[发明专利]集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201110072482.8 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102237310A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李达元;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/266;H01L27/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路及其制造方法，该方法包括：形成一多晶硅层于一基板上；以及图案化该多晶硅层，以形成一多晶硅电阻与一多晶硅栅极。对该多晶硅电阻实施一第一离子注入，以调整该多晶硅电阻的阻值。对该多晶硅电阻的一顶部实施一第二离子注入，以使该多晶硅电阻的该顶部具有一高抗蚀刻力。之后，实施一蚀刻工艺，以移除该多晶硅栅极，同时以该顶部保护该多晶硅电阻。本发明可克服多晶硅电阻的阻值与设定值产生偏差与其他问题。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路的制造方法，包括：形成一多晶硅层于一基板上；图案化该多晶硅层，以形成一多晶硅电阻与一多晶硅栅极；对该多晶硅层实施一第一离子注入，以调整该多晶硅电阻的阻值；对该多晶硅电阻的一顶部实施一第二离子注入，以使该顶部具有一高抗蚀刻力；以及实施一蚀刻工艺，以移除该多晶硅栅极，同时以经注入的该顶部保护该多晶硅电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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