[发明专利]一种金属酞菁纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201110072548.3 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102206863A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 刘颖丹;潘革波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的制备方法，其特征在于包括步骤：I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料，将所述原料取料与衬底一并置入容器中以备加热生长；II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10-2Pa，对所述容器实施加热，使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min后随容器冷却至常温，在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。应用本发明方法制备单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线，工艺简单易行、成本低，酞菁纳米线与硅衬底接触良好，为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属酞菁纳米线的制备方法，所述金属酞菁纳米线为单分散、平贴衬底的，其特征在于包括步骤：I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料，将所述原料取料与硅衬底一并置入容器中以备加热生长；II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10‑2Pa，对所述容器实施加热，使得原料在450℃‑500℃下恒温生长20min‑60min后随容器冷却至常温，在硅衬底上生长形成单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线。
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