[发明专利]NAND快闪存储器的错误校正方法有效
| 申请号： | 201110072594.3 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102693760A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈岳勇;刘林;洪伟哲;朱之霞;付本涛 | 申请（专利权）人： | 扬智科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NAND快闪存储器的错误校正方法，该方法包括：当一NAND快闪存储器中的一第一页被写入一第一数据时，根据该第一页发生位错误的机率，决定该第一页所对应的错误校正码的类型，以及根据该第一页所对应的错误校正码的类型与该第一数据，产生一第一错误校正码。如此，针对发生位错误的机率较高的页可使用校正能力较强的错误校正码，以减少不可使用的区块的数目，来延长NAND快闪存储器的使用寿命。针对发生位错误的机率较低的页可使用校正能力较弱的错误校正码，以增加NAND快闪存储器的可使用容量。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 错误 校正 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，所述NAND快闪存储器的错误校正方法包括：当一NAND快闪存储器中的一第一页被写入一第一数据时，根据所述第一页发生位错误的机率，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型；以及根据所述第一页所对应的错误校正码的类型与所述第一数据，产生一第一错误校正码。
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