[发明专利]成膜设备无效
申请号: | 201110072634.4 | 申请日: | 2011-03-17 |
公开(公告)号: | CN102191488A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 长谷川昌孝 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜设备,其包括:具有真空室的第一单元,在所述真空室中,在基膜上进行成膜;具有用于输送所述基膜的输送系统的第二单元;和接合单元,所述接合单元将所述第一单元和所述第二单元导电地接合,其中所述第一单元和所述第二单元通过将它们组合在一起而构造,并且在成膜过程中,在所述第一单元和第二单元之间没有产生电位差。 | ||
搜索关键词: | 设备 | ||
【主权项】:
一种成膜设备,所述成膜设备在将长基膜在纵向方向上输送的同时进行成膜,所述成膜设备包括:第一单元,所述第一单元具有真空室,在所述真空室中在所述基膜上进行成膜;第二单元,所述第二单元具有用于输送所述基膜的输送系统;和接合装置,所述接合装置将所述第一单元和第二单元导电地接合,其中所述第一单元和所述第二单元通过将它们组合在一起而构造,并且在成膜过程中,在所述第一单元和第二单元之间没有产生电位差。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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