[发明专利]红荧烯弱外延生长薄膜及其在有机薄膜晶体管中的应用

摘要

本发明提供一种红荧烯的弱外延生长薄膜以及这种薄膜在有机薄膜晶体管中的应用，利用诱导层材料的晶体和红荧烯晶体晶格之间存在外延关系，红荧烯分子在大面积连续的有序诱导层表面进行外延生长，从而获得高品质的多晶薄膜。本发明采用常规真空沉积技术，利用弱外延生长方法制备红荧烯多晶薄膜，工艺简单，采用弱外延生长的红荧烯薄膜的晶体尺寸较大，薄膜连续性好。30纳米红荧烯弱外延生长薄膜的透射光谱，在可见光区域，红荧烯的透光率大于90％，可以作为透明材料使用。所制得的薄膜晶体管迁移率达到1.4-3.6cm2/Vs，超过非晶硅的薄膜晶体管迁移率达到的0.7cm2/Vs，其是非晶硅的2-5.2倍。

主权项

一种红荧烯弱外延生长薄膜，其特征在于，包括诱导层(3)和红荧烯薄膜(4)；所述诱导层(3)的材料和红荧烯薄膜(4)的材料红荧烯之间存在弱外延关系；所述弱外延关系是诱导层(3)的材料分子与红荧烯薄膜(4)的材料红荧烯分子之间是范德华力相互作用，诱导层(3)的材料晶体晶格与红荧烯薄膜(4)的红荧烯晶体晶格之间存在外延关系；所述诱导层3的材料是：六联苯(p‑6P)、2，7‑二(4‑联苯基)‑菲(BPPh)、2，7‑二(4‑联苯基)‑硫芴(BPBTB)、2，6‑二(4‑联苯基)‑苯并[1，2‑b：4，5‑b′]二噻吩(BPTBT)、2，5‑二(4‑联苯基)‑[3，2‑b]并二噻吩(BPTT)、5，5′‑二(4‑联苯基)‑2，2′‑二噻吩(BP2T)、5，5″‑二(4‑联苯基)‑2，2′：5′，2″‑三噻吩(BP3T)、5，5″′‑二(4‑联苯基)‑2，2′：5′，2″：5″，2″′‑四噻吩(BP4T)、1，1′：4′，1″：4″，1″′：4″′，1″″：4″″，1″″′：4″″′，1″″″：4″″″，1″″″′‑八联苯(p8P)、2，5‑二(4‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑噻吩(3PT)、5，5′‑二(4‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑2，2′‑二噻吩(3P2T)、2，5‑二(4‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑[3，2‑b]并二噻吩(3PTT)、2，7‑二(4‑4′‑氟代联苯基)‑菲(F2‑BPPh)、2，7‑二(4‑4′‑氟代联苯基)‑硫芴(F2‑BPBTB)、2，6‑二(4‑4′‑氟代联苯基)‑苯并[1，2‑b：4，5‑b′]二噻吩(F2‑BPTBT)、2，5‑二(4‑4′‑氟代联苯基)‑[3，2‑b]并二噻吩(F2‑BPTT)、5，5′‑二(4‑4′‑氟代联苯基)‑2，2′‑二噻吩(F2‑BP2T)、5，5″‑二(4‑4′‑氟代联苯基)‑2，2′：5′，2″‑三噻吩(F2‑BP3T)、5，5″′‑二(4‑4′‑氟代联苯基)‑2，2′：5′，2″：5″，2″′‑四噻吩(F2‑BP4T)、4，4″″′‑二(4‑氟苯基)‑1，1′：4′，1″：4″，1″′：4″′，1″″：4″″，1″″′‑六联苯(F2‑p8P)、2，5‑二(4‑4″‑氟代‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑噻吩(F2‑3PT)、2，5‑二(4‑4″‑氟代‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑噻吩(F2‑3PT)、2，5‑二(4‑4″‑氟代‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑[3，2‑b]并二噻吩(F2‑3PTT)、2，7‑二(4‑3′，5′‑二氟代联苯基)‑菲(F4‑BPPh)、2，7‑二(4‑3′，5′‑二氟代联苯基)‑硫芴(F4‑BPBTB)、2，6‑二(4‑3′，5′‑二氟代联苯基)‑苯并[1，2‑b：4，5‑b′]二噻吩(F4‑BPTBT)、2，5‑二(4‑3′，5′‑二氟代联苯基)‑[3，2‑b]并二噻吩(F4‑BPTT)、5，5′‑二(4‑3′，5′‑二氟代联苯基)‑2，2′‑二噻吩(F4‑BP2T)、5，5″‑二(4‑3′，5′‑二氟代联苯基)‑2，2′：5′，2″‑三噻吩(F4‑BP3T)、5，5″′‑二(4‑3′，5′‑二氟代联苯基)‑2，2′：5′，2″：5″，2″′‑四噻吩(F4‑BP4T)、4，4″″′‑二(3，5‑二氟代苯基)‑1，1′：4′，1″：4″，1″′：4″′，1″″：4″″，1″″′‑六联苯(F4‑p8P)、2，5‑二(4‑3″，5″‑二氟代‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑噻吩(F4‑3PT)、5，5′‑二(4‑3″，5″‑二氟代‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑2，2′‑二噻吩(F4‑3P2T)和2，5‑二(4‑3″，5″‑二氟代‑1，1′：4′，1″‑三联苯基)‑[3，2‑b]并二噻吩(F4‑3PTT)中一种。