[发明专利]一种发光二极管金属基板的制作方法

摘要

一种发光二极管金属基板的制作方法，涉及光电技术领域中的衬底转移技术。本发明的方法步骤为：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN半导体层、量子阱有源层和P型GaN半导体层；在P型GaN半导体层上蒸镀金属镜子反射层；在器件需要电镀转移衬底的一面预镀上数层金属作为种子层；在沟槽上涂覆光刻胶；对种子层的金属表面进行氧化，利用电镀的方法得到金属基板；沿光刻胶的位置进行切割，得到所需的芯粒。本发明使得金属基板与GaN外延层的结合强度高，便于机械切割，具有工艺简单、成本低廉、原料易得的特点。

主权项

1.一种发光二极管金属基板的制作方法，其步骤为：采用金属有机物化学气相沉积方法在蓝宝石衬底（101）上依次生长N型GaN半导体层（102）、量子阱有源层（103）和P型GaN半导体层（104）；在P型GaN半导体层（104）上蒸镀金属反射层（105），并在氮气的环境下退火使金属反射层（105）与P型GaN半导体层（104）之间形成欧姆接触；通过磁控溅射的方法在器件需要电镀转移衬底的一面预镀上一层或者多层金属作为种子层（106）；利用光刻技术和湿化学腐蚀法对种子层（106）上将来需要裂片的部位形成沟槽；通过高分辨光刻技术在沟槽上涂覆光刻胶（107）；对种子层（106）的金属表面进行氧化，去除氧化层和杂质，利用电镀的方法得到金属基板（108）；用机械切割的方法沿光刻胶（107）的位置进行切割，得到所需的芯粒。