[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号： | 201110075508.4 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102208457A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 关根重信;关根由莉奈;桑名良治 | 申请（专利权）人： | 纳普拉有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种受光效率、发电效率高的大面积的太阳能电池。其中，第1导电型半导体层(1)的表面成为受光面，第2导电型半导体层(2)设置在第1导电型半导体层(1)的背面侧，在与第1导电型半导体层(1)之间构成pn结。第1电极(3)贯通第2导电型半导体层(2)而朝向第1导电型半导体层(1)，前端陷入第1导电型半导体层(1)中并在其内部被阻止。第2电极(4)设置在电池背面。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其包含第1导电型半导体层、第2导电型半导体层、第1电极和第2电极，所述第1导电型半导体层的表面成为受光面，所述第2导电型半导体层设置在所述第1导电型半导体层的背面侧，在与所述第1导电型半导体层之间构成pn结，所述第1电极贯通所述第2导电型半导体层而朝向所述第1导电型半导体层，所述第1电极的前端陷入所述第1导电型半导体层中并在其内部被阻止，所述第2电极设置在电池背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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