[发明专利]一种电晶体阵列基板无效
申请号: | 201110075663.6 | 申请日: | 2011-03-23 |
公开(公告)号: | CN102226992A | 公开(公告)日: | 2011-10-26 |
发明(设计)人: | 赖志彦;段继贤;赖骏凯;许晏华 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种电晶体阵列基板,包括薄膜晶体管,绝缘层,平坦层,电测结脚,电性测量元件,像素电极。其中,薄膜晶体管位于电晶体阵列基板上;绝缘层,位于电晶体阵列基板最下层;平坦层,在绝缘层的上方;像素电极分布于平坦层的上方,包括上像素电极,下像素电极,以及用来连接二者的电极桥接;电性测量元件,位于电晶体阵列基板的周缘,部分电性测量元件宽度与电极桥接宽度相同;二电测结脚,设置于平坦层上,分别连接电性测量元件的两端。采用本发明的电晶体阵列基板,可以及时准确的确认薄膜晶体管元件的电性,在发现异常时能够迅速导正生产状况。 | ||
搜索关键词: | 一种 电晶体 阵列 | ||
【主权项】:
一种电晶体阵列基板,其特征在于,包括:薄膜晶体管,位于所述电晶体阵列基板上;绝缘层,位于所述电晶体阵列基板最下层;平坦层,位于所述绝缘层的上方;像素电极,位于所述平坦层的上方,包括:上像素电极;下像素电极;以及电极桥接,连接所述上像素电极和所述下像素电极;电性测量元件,位于所述电晶体阵列基板的周缘,部分所述电性测量元件宽度与所述电极桥接宽度相同;以及二电测结脚,设置于所述平坦层上,分别连接所述电性测量元件的两端。
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