[发明专利]等离子体氮化处理方法无效

专利信息
申请号: 201110075945.6 申请日: 2005-03-02
公开(公告)号: CN102181819A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 松山征嗣;中西敏雄;尾崎成则;足立光;高槻浩一;佐藤吉宏 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C8/36 分类号: C23C8/36;H01L21/28;H01L21/314
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种等离子体氮化处理方法。在本发明中,在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时,断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波,与电子温度下降相伴的离子冲击降低,氧化膜中的氮化种的扩散速度降低,其结果,氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此,能够提高氧氮化膜的膜质,从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。
搜索关键词: 等离子体 氮化 处理 方法
【主权项】:
一种等离子体氮化处理方法,其利用等离子体对氧化膜进行氮化,其特征在于:将形成有所述氧化膜的基板搬入到处理容器内,一边向所述处理容器内供给Ar气体,一边使所述处理容器内为减压气氛,对所述基板进行加热以进行预热,在所述处理容器内将所述Ar气体的等离子体点火,在等离子体点火后进一步对所述处理容器内进行减压,向该处理容器内供给氮气,将压力调整为1.3Pa~133.3Pa使等离子体稳定,利用所述等离子体对所述氧化膜进行等离子体氮化处理,所述等离子体的点火的压力被设定为比所述等离子体氮化处理时的压力高的压力进行点火。
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