[发明专利]硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201110076569.2 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102230790A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/30 | 分类号： | G01B11/30;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法。根据本发明的硅锗碳薄膜质量检测方法包括：表面粗糙度扫描步骤，用于利用不具有破坏性的表面扫描装置扫描硅锗碳薄膜的表面粗糙度，以获取表示硅锗碳薄膜的表面粗糙度的数据；以及分析步骤，用于对所述表示硅锗碳薄膜的表面粗糙度的数据进行分析，以获取与硅锗碳薄膜质量相关的信息。通过采用根据本发明第一方面所述的硅锗碳薄膜质量检测方法，能够在不具有破坏性的情况下对表面粗糙度进行测量，从而检测硅锗碳薄膜的质量。并且，相对于现有的采用原子力显微镜的方法，本发明速度更快，而且获得的对粗糙度的检测更精确。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗碳 薄膜 质量 检测 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种硅锗碳薄膜质量检测方法，其特征在于，包括：表面粗糙度扫描步骤，用于利用不具有破坏性的表面扫描装置扫描硅锗碳薄膜的表面粗糙度，以获取表示硅锗碳薄膜的表面粗糙度的数据；以及分析步骤，用于对所述表示硅锗碳薄膜的表面粗糙度的数据进行分析，以获取与硅锗碳薄膜质量相关的信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110076569.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗便秘的中药
- 下一篇：光刻方法及半导体器件
