[发明专利]一种液晶显示器件、阵列基板和彩膜基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110076578.1 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102645799A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 訾玉宝;郑载润;王世凯;吴代吾;侯智 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种液晶显示器件、阵列基板和彩膜基板及其制造方法，可提高液晶显示器件的开口率。本发明实施例的液晶显示器件包括：下基板；黑矩阵，形成在所述下基板之上；顶栅型TFT器件，形成在所述黑矩阵之上；上基板；像素层，形成在所述上基板上；彩膜ITO电极，形成在所述像素层之上；液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。本发明通过直接将黑矩阵集成于玻璃基板上，因而可在基板上集成顶栅型TFT器件，使TFT-LCD的开口率进一步提高；且由于使用了顶栅型TFT器件，使工艺更加简单，进一步降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液晶显示 器件 阵列 彩膜基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种液晶显示器件，其特征在于，包括：下基板；黑矩阵，形成在所述下基板之上；顶栅型薄膜晶体管TFT器件，形成在所述黑矩阵之上；上基板；像素层，形成在所述上基板上；彩膜透明导电氧化物ITO电极，形成在所述像素层之上；液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。
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