[发明专利]一种高密度电阻型随机存储单元无效
| 申请号： | 201110076685.4 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208531A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 邓宁;张树超;焦斌;陈培毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了存储器技术领域中的一种高密度电阻型随机存储单元。该存储单元的阻变部分嵌入在晶体管栅氧化层和栅电极层之间，通过晶体管沟道向栅极的隧穿电流对阻变层进行写操作，对存储单元的读操作直接在阻变层两端进行。该存储单元可以有效减小晶体管的体积，大大提高了电阻型随机存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 电阻 随机 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种高密度电阻型随机存储单元，由晶体管和电阻型随机存储单元组成，其特征是该存储单元的阻变部分嵌入在晶体管的栅氧化层和栅电极层之间；所述阻变部分包括上电极、阻变层、下电极，上电极在阻变层之上；阻变层在下电极之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110076685.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型筷和筷笼
- 下一篇：一种高效光电转换用玻璃镀膜液及其制备方法和应用
