[发明专利]可实现DRAM自复位的方法及可自复位的DRAM无效
| 申请号： | 201110077209.4 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102270500A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 余作明 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/20 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平;王少文 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明目的是提供一种可实现DRAM自复位的方法及可自复位的DRAM，可实现DRAM在多种情况下的自复位。本发明的工作原理是：内部时钟驱动计数器计数，如果无异常情况，而且无非法指令，并且接受到指定的指令，计数器被复位，从零开始计数；反之，如果有异常情况，或者有非法指令，或者没有接受到指定的指令，计数器不会被复位，计数器向上计数，直至溢出。计数器溢出会将DRAM(动态随机存取存储器)复位。作为可选，可以给内存控制器反馈信号。本发明可自复位的DRAM不需要内存控制器进行控制，也不需要整个计算机系统重新断电，上电。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 dram 复位 方法 | ||
【主权项】：
一种可实现DRAM自复位的方法，其特征在于：包括以下步骤：1】内部或外部时钟驱动DRAM内置计数器计数；2】用“无异常情况”信号、“无非法指令”信号或“指定指令”信号控制DRAM内置计数器的复位；3】用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号。
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