[发明专利]一种单晶硅片的预清洗方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池生产过程中清洗工艺，具体的说是一种能够干净有效的清洗掉单晶硅片来料脏污的单晶硅片的预清洗方法。所述的预清洗方法包括第一次配液、清洗、补液三个工艺步骤，本发明克服了现有技术的不足，能够彻底去除掉不同生产厂家不同工艺生产的单晶硅片上产生的脏污、手指印、有机物残留等，而且不影响单晶硅片本身的各项指标，并且能够使制绒得到良好的绒面，缩短制绒工艺时间，减少制绒所需药量，经上述步骤清洗后单晶硅片表面清洁度符合生产中A类片标准。

主权项

一种单晶硅片的预清洗方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、第一次配液，在容积为150‑180升的工艺槽中加入150‑160升的去离子水，工艺槽中的水温加热并保持在63～65度左右；然后开始进行各种化学品的配制，首先加入NaOH（电子级）250～300克，再加入H2O2  6升左右，用PP材质长棒均匀搅拌，得到配液待用；②、清洗，将规格为125*125单晶硅片放入承载盒中，将多个承载盒依次装入大花蓝中作为一个批次，要求每个批次单晶硅片的数量在300片—400片之间，最后将装有单晶硅片的大花蓝放入装有①中配液的工艺槽中，浸泡时间控制在200～300秒；③、补液，每清洗1批次后，在清洗下一批次时需重新补液，补入H2O2  0.8～1升，正常生产不间断的情况下，每隔4小时补入NaOH的量150～200克。