[发明专利]基于跟踪耦合电容的SRAM写能力增强技术无效
| 申请号： | 201110077985.4 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102110467A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 姚其爽;郑坚斌;张昭勇 | 申请（专利权）人： | 秉亮科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 赵枫 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于跟踪耦合电容的SRAM写能力增强技术，在小容量存储器内设有耦合线和互补耦合线，位线和耦合线之间的耦合电容值与位线的总电容值之间的比值为N，互补位线和互补耦合线之间的耦合电容值与互补位线的总电容值之间的比值为M，该N与M的值总相等。其另一种方式为：在分块大容量存储器内设有耦合线和互补耦合线，所述全局位线和耦合线之间的耦合电容值与位线总电容值之间的比值为R，全局互补位线和互补耦合线之间的耦合电容值与互补位线总电容值之间的比值为Q，该R与Q的值总相等。本发明通过耦合位线，并且使其耦合效率总保持相同的比值，从而使其能够完成产生恒定负压提高SRAM的写能力技术。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 跟踪 耦合 电容 sram 能力 增强 技术 | ||
【主权项】：
一种基于跟踪耦合电容的SRAM写能力增强技术，其特征是：在小容量存储器的存储单元内设有位线和互补位线的耦合线和互补耦合线，所述耦合线、互补耦合线与位线、互补位线属于同一金属层次，所述位线和耦合线之间的耦合电容值与位线的总电容值之间的比值为N，互补位线和互补耦合线之间的耦合电容值与互补位线的总电容值之间的比值为M，该N与M的值总相等，并且随着存储阵列的增长，该N与M的值保持不变。
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