[发明专利]同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法有效

专利信息
申请号: 201110078117.8 申请日: 2011-03-30
公开(公告)号: CN102230831A 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 崔苗;周桃飞;徐科;黄俊;王建峰;田飞飞;张锦平 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G01K11/00 分类号: G01K11/00
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 215125 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法,包括如下步骤:提供一LED结构,所述LED结构包括衬底及其表面的器件层;提供一激发光,聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上,同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰;根据衬底和器件层的拉曼光谱特征峰的频率值,计算衬底和器件层的温度。本发明的优点在于,通过采用一聚焦的竖直空间分辨率大于有源区的厚度的聚焦激光束来同时测定有源区和衬底的拉曼光谱特征峰,从而计算出两者在同一时刻的温度值,为研究LED散热问题提供直接的测量手段。
搜索关键词: 同时 测量 led 衬底 温度 器件 方法
【主权项】:
一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一LED结构,所述LED结构包括衬底及其表面的器件层;提供一激发光,聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上,同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰;根据衬底和器件层的拉曼光谱特征峰的频率值,计算衬底和器件层的温度。
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