[发明专利]一种石墨烯的生长方法以及石墨烯有效

专利信息
申请号: 201110078118.2 申请日: 2011-03-30
公开(公告)号: CN102181924A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 刘争晖;王建峰;钟海舰;任国强;蔡德敏;徐耿钊;樊英民;徐科 申请(专利权)人: 苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: C30B25/18 分类号: C30B25/18;C30B29/02
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 215125 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种石墨烯的生长方法,包括如下步骤:提供III族氮化物衬底;将所述III族氮化物衬底置于平板加热器的中心区域;向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体;加热III族氮化物衬底;向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源,进行石墨烯的生长;停止通入碳源,持续通入非氧化性气体保护并降温至室温。
搜索关键词: 一种 石墨 生长 方法 以及
【主权项】:
一种石墨烯的生长方法,其特征在于,包括如下步骤:提供III族氮化物衬底;将所述III族氮化物衬底置于加热器的中心区域;向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体;加热III族氮化物衬底;向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源,进行石墨烯的生长;停止通入碳源,持续通入非氧化性气体保护并降温至室温。
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