[发明专利]一种石墨烯的生长方法以及石墨烯有效
申请号: | 201110078118.2 | 申请日: | 2011-03-30 |
公开(公告)号: | CN102181924A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 刘争晖;王建峰;钟海舰;任国强;蔡德敏;徐耿钊;樊英民;徐科 | 申请(专利权)人: | 苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C30B25/18 | 分类号: | C30B25/18;C30B29/02 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种石墨烯的生长方法,包括如下步骤:提供III族氮化物衬底;将所述III族氮化物衬底置于平板加热器的中心区域;向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体;加热III族氮化物衬底;向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源,进行石墨烯的生长;停止通入碳源,持续通入非氧化性气体保护并降温至室温。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 生长 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种石墨烯的生长方法,其特征在于,包括如下步骤:提供III族氮化物衬底;将所述III族氮化物衬底置于加热器的中心区域;向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体;加热III族氮化物衬底;向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源,进行石墨烯的生长;停止通入碳源,持续通入非氧化性气体保护并降温至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110078118.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。