[发明专利]洗涤组合物、洗涤方法和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110078415.7 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102206559A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 水谷笃史;伏见英生;高桥智威;高桥和敬 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;C11D7/32;C11D7/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不损伤布线结构、层间绝缘结构而能够将半导体基板上的等离子体蚀刻残渣充分除去的洗涤组合物、洗涤方法和使用了上述洗涤组合物的半导体装置的制造方法。提供用于除去在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的洗涤组合物、洗涤方法以及包含通过上述洗涤组合物洗涤在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的工序的半导体装置的制造方法，所述洗涤组合物的特征在于，含有57～95重量％的(成分a)水、1～40重量％的(成分b)具有仲羟基和/或叔羟基的羟基化合物、(成分c)有机酸、以及(成分d)季铵化合物，pH为5～10。 | ||
| 搜索关键词： | 洗涤 组合 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种用于除去在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的洗涤组合物，其特征在于，含有57～95重量％的成分a即水、1～40重量％的成分b即具有仲羟基和/或叔羟基的羟基化合物、成分c即有机酸、以及成分d即季铵化合物，pH为5～10。
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