[发明专利]一种太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 201110079703.4 | 申请日: | 2011-03-31 |
公开(公告)号: | CN102185022A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 沈鸿烈;岳之浩;杨超;吴京波;李琼;李斌斌 | 申请(专利权)人: | 南京沙宁申光伏有限公司;南京航空航天大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 周静 |
地址: | 211300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池的制造方法,可有效减少电池背面复合中心,提高电池Rsh,提升电池的性能。所述太阳能电池的制造方法,包括对硅片进行扩散制结、周边刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结,印刷电极之前对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀,去除背表面在扩散制结过程中由于磷吸杂所形成的含非ⅢA和/或ⅤA族元素的杂质层。所述对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀的方法为离子束刻蚀、反应离子刻蚀或电化学腐蚀。本发明可以去除电池背表面由于扩散后的背面磷吸杂(单面扩散硅片的背面也有非故意的磷扩散,尤其是背面边缘部分)而形成的高浓度的深能级杂质层,减少背面复合中心,进而减少载流子的背面复合,提高电池Rsh,提升电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,包括对硅片进行扩散制结、周边刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结,其特征在于,印刷电极之前对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀,去除背表面在扩散制结过程由于磷吸杂所形成的含非IIIA和/或VA族元素的杂质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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