[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110080303.5 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102184940A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王敬;许军;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/165;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体结构，包括：第一材料衬底层；形成在所述第一材料衬底层顶部的多孔结构层，所述多孔结构层为第二材料；和形成在所述多孔结构层之上的第三材料半导体层。本发明实施例通过在第一材料衬底层(如Si层)之上形成的多孔结构层(如SiGe)可以有效地改善第一材料衬底层与第三材料半导体层(如Ge层)之间的位错，从而改善两者之间界面的散射特性和漏电特性，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：第一材料衬底层；形成在所述第一材料衬底层顶部的多孔结构层，所述多孔结构层为第二材料；和形成在所述多孔结构层之上的第三材料半导体层。
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