[发明专利]阻变存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110081209.1 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102738386A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;张森;李颖涛;王艳;连文泰;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：下电极；下电极之上的局部控制电极；下电极和局部控制电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过下电极上的局部控制电极，增强了存储介质内的局域电场强度，使导电细丝更容易沿着该控制电极形成，这样有效控制了导电细丝形成以及断开，从而解决了由于导电细丝随机形成而导致的编程电压离散的问题，使器件的编程电压具有集中性，提高了器件工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，所述存储器包括：下电极；下电极之上的局部控制电极；下电极和局部控制电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110081209.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低VOC溶剂系统
- 下一篇：基于GPS数据的道路交通流预测方法
