[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供形成有位于核心区域的第一栅极结构和位于周边区域的第二栅极结构的半导体衬底；在核心区域形成第一光刻胶层；在周边区域执行晕环离子注入和浅掺杂漏离子注入以在第二栅极结构两侧的半导体衬底中形成第二晕环离子注入区和第二浅掺杂区；去除第一光刻胶层；执行预非晶化离子注入，以在未被第一栅极结构和第二栅极结构覆盖的半导体衬底中形成非晶层；在周边区域形成第二光刻胶层；在核心区域执行晕环离子注入和浅掺杂漏离子注入以在第一栅极结构两侧的半导体衬底中形成第一晕环离子注入区和第一浅掺杂区。本发明的方法可以保证周边器件的热电子注入可靠性的情况下降低核心区域的结突变性和结电容。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有位于核心区域的第一栅极结构和位于周边区域的第二栅极结构；b）在所述核心区域上形成第一光刻胶层，以覆盖位于所述核心区域的所述半导体衬底和所述第一栅极结构；c）在所述周边区域执行晕环离子注入和浅掺杂漏离子注入，以在所述第二栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成第二晕环离子注入区和第二浅掺杂区；d）去除所述第一光刻胶层；e）执行预非晶化离子注入，以在未被所述第一栅极结构和所述第二栅极结构覆盖的所述半导体衬底中形成非晶层；f）在所述周边区域上形成第二光刻胶层，以覆盖位于所述周边区域的所述半导体衬底和所述第二栅极结构；g）在所述核心区域执行晕环离子注入和浅掺杂漏离子注入，以在所述第一栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成第一晕环离子注入区和第一浅掺杂区。