[发明专利]对精简标准单元库进行优化的方法有效
| 申请号： | 201110082736.4 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102279899A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 罗海燕;陈岚;尹明会;赵劼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对精简标准单元库进行优化的方法，该方法包括：选择实现所需电路功能的基本单元，该基本单元至少包括反相器、缓冲器、基本门单元、混合门单元、运算单元和时序单元；在精简标准单元库中增加延迟单元、上拉/下拉单元、填充单元、电容填充单元、衬底链接以及天线效应抑制单元；采用逻辑分解方式选择多输入逻辑；以及采用驱动分解方式实现多驱动能力。本发明在电路的性能和实现复杂度上面做折中，减少了版图图形形状的个数，有利于光刻友好，使可分辨率增强，提高了电路的可制造性和实现的高效性，又在一定程度上保证了电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 精简 标准 单元 进行 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种对精简标准单元库进行优化的方法，其特征在于，该方法包括：选择实现所需电路功能的基本单元，该基本单元至少包括反相器、缓冲器、基本门单元、混合门单元、运算单元和时序单元；在精简标准单元库中增加延迟单元、上拉/下拉单元、填充单元、电容填充单元、衬底链接以及天线效应抑制单元；采用逻辑分解方式选择多输入逻辑；以及采用驱动分解方式实现多驱动能力。
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