[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110083176.4 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214640A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 詹归娣;李东兴;奥古斯托马奎斯;李文昶 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括衬底、电感布线样式、多个屏蔽样式以及至少一个第一定义氧化物样式。电感布线样式位于衬底上方，其中电感布线样式形成于电感形成区域。多个屏蔽样式位于电感布线样式与衬底之间且位于电感形成区域内。至少一个第一定义氧化物样式位于衬底内或者电感布线样式与衬底之间。通过上述布局或架构，半导体装置可消除接近电感形成区域的有源装置带来的负面效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底；电感布线样式，位于该衬底上方，其中该电感布线样式形成于电感形成区域；多个屏蔽样式，位于该电感布线样式与该衬底之间且位于该电感形成区域内；以及至少一个第一定义氧化物样式，位于该衬底内或者位于该电感布线样式与该衬底之间。
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