[发明专利]氮化物半导体发光二极管元件有效
| 申请号： | 201110083184.9 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102544290A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 江仁豪;胡智威 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体发光二极管元件，其包括N型掺杂氮化物半导体层、有源层以及P型掺杂氮化物半导体层。有源层位于N型掺杂氮化物半导体层上，其包括至少一量子井结构。量子井结构包括两个量子阻障层以及夹于量子阻障层之间的量子井。至少一个量子阻障层包括四元氮化物半导体的超晶格结构。P型掺杂氮化物半导体层位于有源层上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光二极管 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光二极管元件，包括：N型掺杂氮化物半导体层；有源层，位于该N型掺杂氮化物半导体层上，其包括至少一量子井结构，其中该量子井结构包括两个量子阻障层以及夹于该些量子阻障层之间的量子井，至少一个量子阻障层包括四元氮化物半导体的超晶格结构，该超晶格结构由周期层迭的AlaInbGa1‑a‑bN层与IneGa1‑eN层所组成，而0.01≤a≤0.5，且a+b＜1；以及P型掺杂氮化物半导体层，位于该有源层上。
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