[发明专利]半导体存储器件和具有所述半导体存储器件的存储系统有效
| 申请号： | 201110083302.6 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102446544A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 文眞永 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件，包括：内部时钟信号发生器，被配置为通过对外部时钟信号的频率进行分频来产生内部时钟信号；默认潜伏时间确定器，被配置为确定在输出信号时的默认潜伏时间；以及潜伏时间反映器，被配置为响应于半潜伏时间选择信息信号来针对连续命令中的每个选择性地将等于内部时钟信号的半个周期的半潜伏时间附加至默认潜伏时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 有所 存储系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：内部时钟信号发生器，所述内部时钟信号发生器被配置为通过对外部时钟信号的频率进行分频来产生内部时钟信号；默认潜伏时间确定器，所述默认潜伏时间确定器被配置为确定在输出信号时的默认潜伏时间；以及潜伏时间反映器，所述潜伏时间反映器被配置为针对连续命令中的每个，响应于半潜伏时间选择信息信号而选择性地将等于所述内部时钟信号的半个周期的半潜伏时间附加至所述默认潜伏时间。
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