[发明专利]磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置无效
| 申请号： | 201110083468.8 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102191541A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B28/02 | 分类号： | C30B28/02;C30B29/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置，将单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料，将磷放入双温区石英管的一端，将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端，将双温区石英管抽真空后封结；分别使双温区炉的两个温区升温、保温、降温，可制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用作高质量磷硅镉单晶生长料。 | ||
| 搜索关键词： | 磷硅镉 多晶 双温区 合成 方法 装置 | ||
【主权项】：
磷硅镉多晶料的双温区合成方法，步骤如下：(1)将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05的比例配料，将磷装入双温区石英管的一端，将硅和镉放入合成料舟中装入双温区石英管的另一端，将双温区石英管抽真空至2×10‑4pa以下后封结；(2)将双温区石英管的装有磷的一端放至双温区合成炉的低温区，装有硅和镉的合成料舟的一端放至双温区合成炉的高温区；(3)将双温区合成炉的低温区从室温以30～50℃/h的升温速率升温至450‑550℃，保温10～20h，然后以5～20℃/h的升温速率升温至1160℃，在1160℃保温10～20h；同时，将双温区炉的高温区从室温以30～50℃/h的升温速率升温至600～1000℃，保温10～20h，然后以100～200℃/h的升温速率升温至1150℃，然后在此温度下保温10～20h；(4)同时将双温区炉的两个温区降至室温，打开石英管即得到磷硅镉多晶。
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