[发明专利]半导体器件负偏置温度不稳定性的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201110084197.8 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102736006A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件负偏置温度不稳定性的测试结构，该结构包括一偏压输出装置，该偏压输出装置在器件栅极电压由应力负偏压转向测试电压或由测试电压转向应力负偏压的期间，向栅极输出一小于零的维持电压，从而在整个NBTI的测试过程中，栅极均接有负偏压，因此可避免恢复效应的产生，提高NBTI测试结果的准确性；同时，本发明还公开了一种半导体器件负偏置温度不稳定性的测试方法，该方法通过在所述栅极上的电压由应力负偏压转向测试电压或由测试电压转向应力负偏压的期间，向所述栅极输出一小于零的维持电压，从而在整个NBTI的测试过程中，所述栅极均接有负偏压，因此可避免恢复效应的产生，提高NBTI测试结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 偏置 温度 不稳定性 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件负偏置温度不稳定性的测试结构，其中，所述半导体器件包括栅极、源极、漏极以及体电极，其特征在于，所述栅极与一偏压输出装置相连，当所述栅极上加应力负偏压或测试电压时，所述偏压输出装置不影响所述栅极上的电压；当所述栅极上的电压由应力负偏压转向测试电压的期间或者由测试电压转向应力负偏压的期间，所述偏压输出装置向所述栅极输出一维持电压，且所述维持电压的值小于零。
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