[发明专利]光刻设备无效
申请号: | 201110084754.6 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102141740A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | L·范道仁;J·H·W·雅各布斯;W·A·琼格尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G01N21/39 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明公开了一种光刻设备,所述光刻设备包括:湿度测量系统,所述湿度测量系统包括:可调谐激光二极管,配置以发射测量辐射束,所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长,所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长;和连接至辐射探测器的信号处理单元,所述辐射探测器被配置以测量经受吸收的所述可调谐激光二极管的测量辐射束的强度,并且所述信号处理单元被连接至所述可调谐激光二极管,用于获得波长信息,和一个或多个浸没系统部件,其中所述湿度测量系统配置成测量从所述一个或多个浸没系统部件中抽取的空气的湿度,用于确定所述一个或多个浸没系统部件上的热负载。 | ||
搜索关键词: | 光刻 设备 | ||
【主权项】:
一种光刻设备,包括:湿度测量系统,所述湿度测量系统包括:可调谐激光二极管,配置以发射测量辐射束,所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长,所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长;和连接至辐射探测器的信号处理单元,所述辐射探测器被配置以测量经受吸收的所述可调谐激光二极管的测量辐射束的强度,并且所述信号处理单元被连接至所述可调谐激光二极管,用于获得波长信息,其中,所述信号处理单元被布置以探测作为所述波长的函数的在测量强度中的极限值和由所述探测的极限值计算湿度值;和一个或多个浸没系统部件,其中所述湿度测量系统配置成测量从所述一个或多个浸没系统部件中抽取的空气的湿度,用于确定所述一个或多个浸没系统部件上的热负载。
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