[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110085019.7 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102214895A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 西口晴美;广中美佐夫;藏本恭介;楠政谕;铃木洋介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及能够确保高的散热性并且提高成品率的半导体装置及其制造方法。半导体激光器（1）以结向下方式隔着焊料（11）安装在副固定件（12）上。半导体激光器（1）具有：n型GaN衬底（2）；半导体层叠结构（3），形成在n型GaN衬底（2）上并含有pn结；电极（8），形成在半导体层叠结构（3）上。电极（8）隔着焊料（11）接合在副固定件（12）上。在副固定件（12）和半导体层叠结构（3）之间，以包围电极（8）的周围的方式配置有高熔点金属膜（10）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：副固定件；以及半导体激光器，利用焊料以结向下方式安装在所述副固定件上，所述半导体激光器具有：半导体衬底；半导体层叠结构，形成在所述半导体衬底上并且含有pn结；电极，形成在所述半导体层叠结构上，所述电极隔着所述焊料接合在所述副固定件上，在所述副固定件和所述半导体层叠结构之间，以包围所述电极的周围的方式配置有高熔点金属膜或者高熔点电介质膜。
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