[发明专利]一种硅与金属复合材料的微结构加工方法无效
| 申请号： | 201110086183.X | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102167282A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 郭育华;王英男;江争;马广礼 | 申请（专利权）人： | 天津海鸥表业集团有限公司;精艺工程研发所有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人： | 杨宝兰 |
| 地址： | 300308 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅与金属复合材料的微结构加工方法，包括：一.硅片与硅衬底上的金属电铸种子层的共熔键合；二.AZ正胶电铸金属图案的光刻；三.第一层硅结构的深度刻蚀；四.电铸金属内装结构；五AZ正胶硅结构图案的光刻；六.第二层硅结构的深度刻蚀；七.去除光刻胶和分离基底，释放出硅与金属复合材料的微结构。有益效果是：由于将功能型硅片键合在具有金属种子层的硅衬底上，在运用反应离子耦合的干法硅深度刻蚀技术刻蚀，电铸金属结构，刻蚀其他的硅结构；该方法获得的微结构尺寸精度高，电铸金属结构完美，因为深度刻蚀的硅侧壁本身具有扇贝型条纹，电铸的金属结构与硅结构互相咬合，不易分离脱落；另外，由于采用深度刻蚀和电铸工艺，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 复合材料 微结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种硅与金属复合材料的微结构加工方法，其特征在于，包括，步骤一：硅片（Si）与硅衬底上的金属电铸种子层（Ti/Au/Ti）的共熔键合；步骤二：AZ正胶电铸金属图案的光刻；步骤三：第一层硅结构的深度刻蚀；步骤四：电铸金属内装结构；步骤五：AZ正胶硅结构图案的光刻；步骤六：第二层硅结构的深度刻蚀；步骤七：去除光刻胶和分离基底，释放出硅与金属复合材料的微结构。
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