[发明专利]形成用于基于碲化镉的薄膜光伏装置的导电透明氧化物膜层的方法有效
| 申请号： | 201110086428.9 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208483A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | S·D·费尔德曼-皮博迪;J·A·德雷顿;R·D·戈斯曼;M·萨德希 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐晶;林森 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 概括地讲，本发明提供了用于在衬底(12)上形成导电氧化物层(14)的方法。在一个特定实施方案中，所述方法可包括在约10℃-约100℃的溅射温度下在衬底(12)上溅射透明导电氧化物层(14)。包含硫化镉的盖层(15)可直接沉积在所述透明导电氧化物层(14)上。可使所述透明导电氧化物层(14)在约450℃-约650℃的退火温度下退火。概括地讲，本发明还提供了用于制造基于碲化镉的薄膜光伏装置(10)的方法。概括地讲，本发明还提供了用于制造薄膜光伏装置(10)的中间衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 基于 碲化镉 薄膜 装置 导电 透明 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
在衬底上形成导电氧化物层的方法，所述方法包括：在约10℃‑约100℃的溅射温度下在衬底(12)上溅射透明导电氧化物层(14)；将盖层(15)直接沉积在所述透明导电氧化物层(14)上，其中所述盖层(15)包含硫化镉；和在约450℃‑约650℃、优选约575℃‑约625℃的退火温度下使所述透明导电氧化物层(14)退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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