[发明专利]高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法

摘要

高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法，涉及铒离子掺杂的近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法。解决现有掺铒离子近化学计量比铌酸锂晶体制备工艺复杂，难以得到高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体的问题。本发明铌酸锂晶体由氧化铒、五氧化二铌和碳酸锂制成，氧化铒占原料总摩尔量的1％～2％。将原料混匀，加热烧得多晶粉体，再加热得熔体，然后提拉生长晶体，再极化处理即可。与掺杂1.5mol％铒同成分铌酸锂晶体相比，本发明铌酸锂晶体在1.54μm波段光发射强度提高4.16倍，Er3+离子的4I13/2能级寿命5.53ms延长66.57％。极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光放大器于激光器领域的应用。

主权项

高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体，其特征在于高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体是由氧化铒、五氧化二铌和碳酸锂三种原料制成的，其中，碳酸锂和五氧化二铌中锂和铌的摩尔比为1∶1，氧化铒摩尔量占三种原料总摩尔量的1％～2％。