[发明专利]发光二极管芯片的制作方法无效
| 申请号： | 201110086877.3 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623582A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 郭明腾;陈彰和 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片的制作方法如下述。首先，提供基板。接着，形成缓冲层于基板上。然后，图案化缓冲层，以于缓冲层的表面上形成多个凹陷。接着，于缓冲层的表面上形成第一型半导体层，其中第一型半导体层与缓冲层接触的部分表面构成键结连接面，且位于这些凹陷内的第一型半导体层与缓冲层之间存在孔洞。之后，依序形成主动层与第二型半导体层于第一型半导体层上。接着，于第二型半导体层上形成第二电极。而后，进行掀离制程，以分离第一型半导体层与缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制作方法，包括：提供基板；形成缓冲层于该基板上；图案化该缓冲层，以于该缓冲层的表面上形成多个凹陷；于该缓冲层的该表面上形成第一型半导体层，其中该第一型半导体层与该缓冲层接触的部分该表面构成键结连接面，且位于该些凹陷内的该第一型半导体层与该缓冲层之间存在孔洞；以及依序形成主动层与第二型半导体层于该第一型半导体层上。
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